In dem großen Bild wird für "
Bulk" der Begriff "
Substrat" (
Su) verwendet.
Die Spannung zwischen
Gate (
G) und
Substrat (
Su) steuert den Stromfluss zwischen
Source (
S) und
Drain (
D).
Der Unterschied zwischen einem
IG-FET mit
P-Kanal und einem mit
N-Kanal erkennt man schon am Namen:
IG-FET (
N-Kanal) = Selbstleitend (er) = Um so größer die angelegte
+ Spannung an
Gate (
G) ist, desto mehr Strom fließt zwischen
Drain (
D) und
Source (
S).
IG-FET (
P-Kanal) = Selbstsperrend (er) = Um so größer die angelegte
- Spannung an
Gate (
G) ist, desto mehr Strom fließt zwischen
Drain (
D) und
Source (
S).
Was das Bild angeht, kannst du es in deiner PP verwenden. Ich hab noch etwas Text gefunden, wo vielleicht noch helfen könnte (geht aber fast nur um Bipolartransistoren):
http://img3.imageshack.us/img3/4751/img004fy.jpg
Das war's von mir zu dem Thema. Hoffe du kannst damit was anfangen
MfG, TrIeXer
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Infos in einem Thread sind, desto einfacher kann dieser
beantwortet werden !
Ein Bedanken zeigt dem User immer,
dass er
DIR helfen konnte!
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